مقاله ترجمه شده انگلیسی به فارسی عملکرد فرکانس بالای CNTFETهای گیت مواد هترو (دریچه مواد ناجور) در گیت آندرلپ

مقاله ترجمه شده انگلیسی به فارسی عنوان انگلیسی: The High-Frequency Performance of Hetero-Material-Gate  CNTFETs with Gate Underlap عنوان فارسی: عملکرد فرکانس بالای CNTFET های گیت مواد هترو (دریچه مواد ناجور) در گیت آندرلپ   چکیده:   برای اولین بار، نوع جدیدی از ترانزیستور اثرمیدان نانولوله کربن ( CNTFET )، گیت مواد هترو (ناجور) ( HMG ) در آندرلپ پیشنهاد و با استفاده از مدل کوانتوم شبیه شده است که بر اساس تابع گرین غیرمتعادل دوبعدی ( NFGF ) در معادله پواسون می باشد. نتایج شبیه سازی شده نشان می دهند که فرکانس قطع درونی CNTFET های گیت مواد مجزا ( C-CNTFET ) به بیش از چند THZ می رسد که 50% بیشتر از FET   Si های بالستیک می باشد. علاوه بر این، عملکرد C-CNTFET ها را در گیت آندرلپ مورد تحقیق و بررسی قرار داده ایم. تعداد صفحات انگلیسی: 6 تعداد صفحات فارسی: 15 سال مقاله: 2014 فرمت فایل: Pdf انگلیسی+ Word فارسی …